晶体生长速度在0.1~0.2mm/h,晶体厚度在15~25mm,晶体尺寸从4英寸全面向6英寸切换。国际上主流的晶体生长的速度在0.2~0.3mm/h，晶体的厚度在30~40mm，晶体尺寸由6英寸转向8英寸。

　　无论是技术追赶，还是市场需求，在晶体质量（缺陷等）保证的前提下，把SiC晶体长快、长厚、长大，都是行业急迫需要解决的核心需求。

　　在这个背景下，恒普科技推出新一代感应发热技术平台，并以新技术平台为基础，推出了2款感应式SiC晶体生长炉，解决SiC晶体长不快、长不厚、长不大的缺点。

　　SiC晶体在2000℃以上的高温下生长，对温度的稳定性要求极高，但由于SiC粉料挥发等原因，无法做到温度控制，而是采用功率控制（或温度控制+功率控制组合），恒普科技的新技术就解决了这个痛点。

　　SiC晶体生长炉在晶体生长时，通常压力控制的波动在±3Pa,恒普科技的新技术可以将压力控制在±0.3Pa，提高了一个数量级。

　　宁波恒普是一家以材料研究为基础，以高温热场环境控制为技术核心的金属注射成形（MIM）领域和宽禁带半导体领域的关键设备供应商，主要从事金属注射成形（MIM）脱脂烧结炉、碳化硅晶体生长炉、碳化硅同质外延设备等热工装备的研发、生产和销售。

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